檢索結果:共74筆資料 檢索策略: "Graphene".ekeyword (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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本研究分成四部分,第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG),以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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氮化鎵擁有高能隙、高電子飽和速度及高崩潰電場等優越特性,成為第三代 高頻、高功率應用元件之寬能隙半導體熱門材料。然而高功率操作下,元件產生 高溫,傳統金屬電極特性衰退,致使元件性能產生熱退化問題。因…
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下世代微發光二極體(Micro LED)顯示技術為追求更高解析度,LED晶粒需大幅縮小,然而當晶粒尺寸微縮時,亮度也隨之降低,增加注入電流維持顯示所需足夠亮度為最快解決方法。目前LED使用之氧化銦…
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近年來,第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件,然而高功率操作下元件廢熱堆積,會使元件特性衰退,傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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本研究分為兩部分,第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物以化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯,並以石墨烯作為比較,探討其性質是否不同。我們以拉曼光譜、TEM、XPS、UV-Vis分析其材料特性,在拉曼光譜中的分…
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石墨烯是碳原子依六角形排列之二維材料,具有高電子遷移率、熱傳導度、機械特性與低片電阻等特性,相較於氧化銦錫,單層石墨烯在波長小於 280 nm下依舊維持>90 %之高穿透率,使其成為應用於深紫外光 …
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本論文利用動態光散射(DLS)、UV-vis吸收光譜、PL光激發光光譜、偏光顯微鏡(POM)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、以及穿透式電子顯微鏡(TEM)進行一系列老化時間、溫度效應及混摻不同奈米碳材…
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本研究以石墨烯與二硫化錸為材料製作表面增強拉曼散射之基材(SERS),本實驗以化學氣象沉積在銅箔上沉積石墨烯,並轉移至300nm之氧化矽基板,以石墨烯或氧化石墨烯為襯底並以化學氣象沉積生長二硫化錸(…
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圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用,然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…
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全球暖化造成氣候變遷、乾旱現象、沙漠化,讓人們生活的環境變得越來越熱,而能源與原物料變得越來越稀少,為了解決這些問題,各種節能減碳的研究一直被科學家長期關注。其中,熱界面材料和個人熱管理系統可以有效…